AI芯片战争关键一役！英伟达最强Blackwell首次「美国造」
黄仁勋现身台积电在美国亚利桑那的工厂
AI 背后是芯片。
芯片的背后则是工厂。
周五，英伟达与台积电在美国亚利桑那的工厂，首次亮相首片 Blackwell 芯片晶圆。
黄仁勋
这些晶圆最终将用来制作用于人工智能的 Blackwell 芯片。
黄仁旭在现场说：「你们制造出了令人难以置信的东西，但你们终将意识到，你们是更为历史性事件的一部分」。
其实，早在今年 4 月份，黄仁勋就拿出 5000 亿美元豪赌美国本土的 AI 芯片制造，所谓「MadeinUSA」。
大半年过去，终于，最强芯片 Blackwell 首次在「美国本土造」出来了！
将世界级 AI 芯片制造迁到美国本土
将台积电的尖端制造能力引入美国，「芯片之父」称之为「一项神来之笔，更是足以改变行业格局的里程碑。」
当我创办台积电时，我曾有一个梦想，那就是在美国建造晶圆厂。
而今，梦想成真。
在凤凰城的厂区内，生产的齿轮已经提前开始转动。
而这里的总投资额，也已经攀升至一个惊人的数字——1650 亿美元。
在人工智能的世界里，英伟达是所有赢家中的佼佼者。
但即便是这位 AI 之王，也毫不讳言地承认：「没有台积电，这一切都无法实现。」
我们能在一个指甲盖大小的芯片上，集成数十亿个晶体管。我们发明了 GPU，彻底革新了计算机图形学和人工智能。
我们开创了加速计算的时代，而这一切，都凭借着他们（台积电）为我们打造的芯片。
在庆祝活动上，黄仁勋与台积电运营副总裁共同登台，在这片 Blackwell 晶圆上签名，以纪念这一里程碑。
它展示了驱动全球 AI 基础设施的引擎正开始在美国本土制造。
这片作为半导体基础材料的晶圆，将经过分层、光刻（patterning）、蚀刻和切割等一系列复杂工艺，最终成型为英伟达 Blackwell 架构所提供的超高性能、加速计算 AI 芯片。
台积电亚利桑那州工厂将生产包括 2 纳米、3 纳米和 4 纳米芯片以及 A16 芯片在内的先进技术，这些对于 AI、电信和高性能计算等应用都至关重要。
台积电
对于美国来说，这个宏大的项目，其意义早已超越了科技本身——它更象征着制造业的回归。
我们正在将就业机会带回美国，建设能够基业长青的芯片制造业。
这或许是半导体产业在美国迎来的最重要的转折点。
新一代芯片美国本土下线
Blackwell 是英伟达新一代 AI 超级芯片。
Blackwell 架构第一次是在2024 年 3 月 18 日的 GTC 大会上正式由黄仁勋在主旨演讲中首次对外公布的。
英伟达新一代 AI 超级芯片
简单介绍下 Blackwell 的基础架构。
晶体管数 / 规模：Blackwell 架构 GPU 拥有约2080 亿个晶体管。
工艺 / 芯片制造：Blackwell 芯片采用 NVIDIA 与 TSMC 合作定制的4NP工艺。
芯片互连：为了突破单片硅片（reticle）面积限制，Blackwell GPU 由两个子芯片组成，通过一种新的高带宽接口互联（NV-HBI）连接速度可达 10TB/s（每秒 10 太字节）。通过这种方式，两个子芯片可以在逻辑上看作一个统一的 GPU，从而实现「全性能链接」。
在 GTC 2025 上，黄仁勋提到 Blackwell 目前已处于「全面量产 / 全面投入」状态。
这次终于首片晶圆由美国本土生产下线。
接下来，Balckwell 之后的系列，都有望在美国生产。
Blackwell 后面是 Blackwell Ultra，作为 Blackwell 架构的下一步演进版，用于应对更大模型推理、更高性能 / 带宽需求的 AI 推理与训练场景。
Blackwell 的下一代是由Rubin GPU + Vera CPU组成的「Vera Rubin」超芯片 / 平台。
黄仁勋在 2025 年 GTC 上公布，计划2026 年下半年上市，目标是下一阶段的大模型训练与推理。
英伟达的芯片路线图里把Feynman标为Rubin 的后继架构，时间窗口指向2028 年。
在它之前会先在2027 年推出Rubin Ultra。
黄仁勋介绍产品
参考资料：
https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/
https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/
本文来自微信公众号" 新智元 "，作者：新智元，36 氪经授权发布。
